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专注提供离子注入服务

 

                                                                   

 

  Core的特色离子注入服务已经有超过20年的技术发展,不管是非传统元素还是新兴元素都可以应用于各种不同的衬底。超过70种的不同的元素都可以作为一般注入和非规则形状的衬底。

重点特色及能力

  • 为您提供从小的样品到200和300mm晶片的多种选择的元素注入
  • 为GaAs和其他化合物半导体注入28Si,29Si,Zn,Be,Mg,H,He和O
  • 注入能量为1kev到200kev(单电荷)
  • 常规双电荷注入(400kev)
  • 高倾角可达到89度      
  • 低温注入可达到液氮温度
  • 高温注入可达到650摄氏度甚至更高
  • 工艺支持包括菜单建立,注入前后的工艺处理以及材料特性说明

 专业特色设备

  •  200和300mm硅片的铟离子注入设备
  • 100到300mm的预非晶化的锗离子注入专业技术
  • 专业的GsAs和其他化合物半导体硅片系统
  • 专业的氦、氢离子注入系统
  • 所有特殊的离子注入设备都按照NIST标准校准
  • 特色注入标准时间为3~5天左右,如有提前通知,可安排当天完成
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