Core的特色离子注入服务已经有超过20年的技术发展,不管是非传统元素还是新兴元素都可以应用于各种不同的衬底。超过70种的不同的元素都可以作为一般注入和非规则形状的衬底。
重点特色及能力
- 为您提供从小的样品到200和300mm晶片的多种选择的元素注入
- 为GaAs和其他化合物半导体注入28Si,29Si,Zn,Be,Mg,H,He和O
- 注入能量为1kev到200kev(单电荷)
- 常规双电荷注入(400kev)
- 高倾角可达到89度
- 低温注入可达到液氮温度
- 高温注入可达到650摄氏度甚至更高
- 工艺支持包括菜单建立,注入前后的工艺处理以及材料特性说明
专业特色设备
- 200和300mm硅片的铟离子注入设备
- 100到300mm的预非晶化的锗离子注入专业技术
- 专业的GsAs和其他化合物半导体硅片系统
- 专业的氦、氢离子注入系统
- 所有特殊的离子注入设备都按照NIST标准校准
- 特色注入标准时间为3~5天左右,如有提前通知,可安排当天完成